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Tag "Energieeffizienz-Standards"

30 V PowerTrench® MOSFET von Fairchild Semiconductor bietet höchste Leistungsdichte bei geringem Platzbedarf

Hochleistungshalbleiter in 3,3 mm x 3,3 mm großem PQFN-Gehäuse spart bis zu 66 Prozent Leiterplattenfläche und zeichnet sich durch einen sehr niedrigen RDS(ON) aus Fürstenfeldbruck – 25. April 2012 –

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