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Tag "Energieumwandlung"

Siliciumcarbid (SiC) Lösungen von Fairchild Semiconductor bieten höchsten Wirkungsgrad und Zuverlässigkeit für Energieumwandlungssysteme

Erster SiC bipolarer Sperrschichttransistor (BJTs) im Produktportfolio ermöglicht geringste Leistungsverluste bei hohen Betriebstemperaturen Fürstenfeldbruck – 13. November 2012 – Um eine höhere Leistungsdichte zu erreichen und die strikten Wirkungsgradregelungen und

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