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Tag "Halbleiter"

Fujitsu zeigt ARM® CortexTM-M-Lösungen auf der Embedded World 2013

Besuchen Sie Fujitsu Semiconductor Europe auf den Messeständen unserer Partner Glyn, MSC und EBV Langen, Deutschland – 21. Februar 2013 – Fujitsu Semiconductor Europe (FSEU) präsentiert auf der Embedded World

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Fujitsu zeigt ARM® CortexTM-M-Lösungen auf der Embedded World 2013

Besuchen Sie Fujitsu Semiconductor Europe auf den Messeständen unserer Partner Glyn, MSC und EBV Langen, Deutschland – 21. Februar 2013 – Fujitsu Semiconductor Europe (FSEU) präsentiert auf der Embedded World

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Fujitsu kündigt leistungsstarke MCU mit SHE-Coprozessor (Secure Hardware Extension) für Kombiinstrumente im Automobil an

Atlas-L“, der neueste Baustein aus Fujitsus ARM Cortex-R4-Familie, bietet umfassende Sicherheitsfunktionen Langen, 11. Dezember 2012 – Fujitsu Semiconductor Europe (FSEU) erweitert seine skalierbaren Systemlösungen für Kombiinstrumente in der Automobilindustrie. Die

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RS erweitert branchenführendes Halbleiter-Angebot durch Online-Reseller-Vereinbarung mit STMicroelectronics

Wesentliche Erweiterung der Halbleiter-Optionen für Kunden durch großen Teil der ST Produktpalette (ddp direct) Mörfelden-Walldorf, 26. November 2012. – RS Components (RS), die Handelsmarke der Electrocomponents plc (LSE:ECM), weltweit führender

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RS erweitert branchenführendes Halbleiter-Angebot durch Online-Reseller-Vereinbarung mit STMicroelectronics

(ddp direct) Mörfelden-Walldorf, 26. November 2012. – RS Components (RS), die Handelsmarke der Electrocomponents plc (LSE:ECM), weltweit führender High Service Distributor für Produkte aus der Elektronik, Automation und Instandhaltung, hat

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Fujitsu bringt 16-kbit-FRAM mit ultraniedrigem Stromverbrauch im neuen SON-8-Package auf den Markt

SON-8-Package für mobile Ausrüstung verlängert die Batterielebenszeit und spart Leiterplattenplatz Langen, 28. November 2012 – Fujitsu Semiconductor Europe (FSEU) kündigt heute die Erweiterung der MB85RC16-Serie um das neue platzsparende SON-8-Package

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Fujitsu produziert ab 2013 GaN-Leistungsbauelemente für hocheffiziente Stromversorgungseinheiten

GaN-Technologie ermöglicht hohe Ausgangsleistung von 2,5 kW bei Server-Netzteilen Langen, Deutschland, 26. November 2012 – Fujitsu Semiconductor hat durch die Implementierung seiner Galliumnitrid-Leistungsbauelemente (GaN) auf Siliziumsubstrat in Stromversorgungseinheiten für Server

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Vishay Intertechnology: Gut aufgestellt für volatilen Markt

Finanzielle Solidität, Schlüsselmärkte, verstärkte technische Ressourcen Selb/Malvern, 13. November 2012 – Als einer der größten Hersteller von passiven Bauelementen und diskreten Halbleitern agiert Vishay Intertechnology in einem bewegten Umfeld. Seine

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Cree stellt hoch effizientes Hochfrequenz-Leistungsmodul auf Basis von Siliziumcarbid vor

Branchenweit erstes voll qualifiziertes und produktionsfertiges Power-Modul aus SiC München, 12. November 2012 – Cree, ein führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, präsentiert mit dem

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Cree präsentiert neue Generation der 50-V-GaN-HEMT-Technologie

Transistoren ermöglichen signifikante Senkung des Energiebedarfs von Mobilfunknetzen München, 8. November 2012 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, stellt eine Palette neuer High

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