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Tag "Leistungsdichte"

30 V PowerTrench® MOSFET von Fairchild Semiconductor bietet höchste Leistungsdichte bei geringem Platzbedarf

Hochleistungshalbleiter in 3,3 mm x 3,3 mm großem PQFN-Gehäuse spart bis zu 66 Prozent Leiterplattenfläche und zeichnet sich durch einen sehr niedrigen RDS(ON) aus Fürstenfeldbruck – 25. April 2012 –

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Generation III XSTM DrMOS Familie von Fairchild Semiconductor bietet den Entwicklern von Stromversorgungen höchsten Wirkungsgrad, bessere Leistungsdichte und spart zudem Leiterplattenfläche

Die 60A Multi-Chip-Modul Familie ermöglicht Designern, die strengen Energieeffizienz-Standards einzuhalten Fürstenfeldbruck – 16. April 2012 – Die Kombination von neuen Energiestandards und erweiterten Systemspezifikationen bei Blade Servern, Hochleistungs-Notebooks, Spielkonsolen und

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