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Tag "Leistungselektronik"

Neuer Gate-Treiber-Optokoppler von Fairchild Semiconductor bietet hohe Isolationsspannung und Störfestigkeit

Das breite, fünfpolige SOP-Gehäuse vergrößert die Luft- und Kriechstrecken des Bauteils bei gleichzeitig kompakter Bauform Fürstenfeldbruck – 7. Mai 2012 – Sehr leistungsfähige industrielle Anwendungen wie Solarwechselrichter, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)

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Intelligente High-Side-Schalter von Fairchild Semiconductor sind eine zuverlässige Alternative für diskrete Treiber-Lösungen in Automotive-Anwendungen

Bauteile ermöglichen hohe Zuverlässigkeit und Platzeinsparung in Automobil-Anwendungen Fürstenfeldbruck – 2. Mai 2012 – In den heutigen Automobil-Anwendungen müssen hohe Ströme von ohmschen oder induktiven Lasten zuverlässig und sicher nach

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30 V PowerTrench® MOSFET von Fairchild Semiconductor bietet höchste Leistungsdichte bei geringem Platzbedarf

Hochleistungshalbleiter in 3,3 mm x 3,3 mm großem PQFN-Gehäuse spart bis zu 66 Prozent Leiterplattenfläche und zeichnet sich durch einen sehr niedrigen RDS(ON) aus Fürstenfeldbruck – 25. April 2012 –

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Fairchild erhält Lieferantenauszeichnung von chinesischem EMS-Anbieter WKK Technology

Fürstenfeldbruck – 24. April 2012 – Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS), ein weltweit führender Anbieter von leistungsfähigen Lösungen für Leistungselektronik und mobile Produkte, wurde von WKK Technology Limited (“WKKT”) als Lieferant

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Generation III XSTM DrMOS Familie von Fairchild Semiconductor bietet den Entwicklern von Stromversorgungen höchsten Wirkungsgrad, bessere Leistungsdichte und spart zudem Leiterplattenfläche

Die 60A Multi-Chip-Modul Familie ermöglicht Designern, die strengen Energieeffizienz-Standards einzuhalten Fürstenfeldbruck – 16. April 2012 – Die Kombination von neuen Energiestandards und erweiterten Systemspezifikationen bei Blade Servern, Hochleistungs-Notebooks, Spielkonsolen und

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Leistungsfähiger Abwärtswandler mit hohem Wirkungsgrad von Fairchild Semiconductor reduziert den Stromverbrauch von Mobiltelefonen und verlängert so die Gesprächs-/Datenübertragungszeiten

Neues Produkt für GSM/GPRS/EDGE, 3G/3.5G und 4G-Leistungsverstärker bietet verbesserte Wärmeableitung bei kleinem Formfaktor Fürstenfeldbruck – 28. März 2012 – Die Entwickler von mobilen Geräten stehen dem Problem gegenüber, dass sich

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650V Field Stop IGBTs von Fairchild Semiconductor verbessern den Wirkungsgrad und die Systemzuverlässigkeit von Umrichtern

Bauteile erfüllen die Herausforderungen für eine effiziente und effektive Leistungsumwandlung Fürstenfeldbruck – 26. März 2012 – Die Entwickler von Solarwechselrichtern, unterbrechungsfreien Stromversorgungen und Schweißanlagen müssen die Energieeffizienz ihrer elektronischen Schaltungen

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Fairchild Semiconductor ermöglicht mit Generation II XSTM DrMOS die Entwicklung dünner UltrabookTM Anwendungen

Integriertes Bauteil erlaubt durch hohe Schaltfrequenz den Einsatz von dünneren Induktionsspulen und somit schlankere Systeme Fürstenfeldbruck – 19. März 2012 – Die Entwickler von Stromversorgungen stehen der Herausforderung gegenüber, dass

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Single P-Kanal PowerTrench® MOSFETs von Fairchild Semiconductor bieten kleine Bauform und geringen Durchlasswiderstand

Bauteil speziell für Batterieschalter oder als Lastschalter in Mobiltelefonen und ultraportablen Anwendungen Fürstenfeldbruck – 22. Februar 2012 – Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS) stellt P-Kanal PowerTrench® MOSFETs zur Realisierung von kleinen

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Audiostecker-Erkennungsschalter von Fairchild Semiconductor unterstützt OMTP- und CTIA-Standard mit einem einzigen Bauteil

Bauteil verkürzt Designzyklus, vereinfacht Design und spart Leiterplattenfläche Fürstenfeldbruck – 13. Februar 2012 – Für 3,5 mm Audiostecker sind derzeit zwei verschiedene Konfigurationsstandards verbreitet – das OMTP (Open Mobile Terminal

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