GaN-Technologie ermöglicht hohe Ausgangsleistung von 2,5 kW bei Server-Netzteilen Langen, Deutschland, 26. November 2012 – Fujitsu Semiconductor hat durch die Implementierung seiner Galliumnitrid-Leistungsbauelemente (GaN) auf Siliziumsubstrat in Stromversorgungseinheiten für Server
Bauteile erfüllen die Herausforderungen für eine effiziente und effektive Leistungsumwandlung Fürstenfeldbruck – 26. März 2012 – Die Entwickler von Solarwechselrichtern, unterbrechungsfreien Stromversorgungen und Schweißanlagen müssen die Energieeffizienz ihrer elektronischen Schaltungen
