Siliciumcarbid (SiC) Lösungen von Fairchild Semiconductor bieten höchsten Wirkungsgrad und Zuverlässigkeit für Energieumwandlungssysteme

Erster SiC bipolarer Sperrschichttransistor (BJTs) im Produktportfolio ermöglicht geringste Leistungsverluste bei hohen Betriebstemperaturen Fürstenfeldbruck – 13. November 2012 – Um eine höhere Leistungsdichte zu erreichen und die strikten Wirkungsgradregelungen und