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Tag "semiconductor"

Comtrend integriert Gigabit-Ethernet über POF von KDPOF für Heimnetze 0

Optischer Polymerfaser-Backbone ergänzt WiFi-Mesh für garantierte Gigabit-Leistung KDPOF – ein führender Anbieter von Gigabit-Transceivern über POF (Plastic Optical Fiber) – gibt stolz bekannt, dass Comtrend seine Gigabit-Ethernet-POF (GEPOF) Technologie implementiert

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Multi-Gigabit-Kommunikation erfordert neuen Automotive-Standard 0

KDPOF treibt skalierbare Netzwerktechnologie für hohe Datenraten von 25 Gbit/s und mehr voran Carlos Pardo, CEO von KDPOF – führendem Anbieter von Gigabit-Transceivern über POF (Plastic Optical Fiber) – setzt

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KDPOF stellt POF-Verbindung für Telematik-Steuermodule vor 0

Optische Gigabit-Konnektivität stellt hohe elektromagnetische Kompatibilität sicher KDPOF – führender Anbieter für Gigabit-Transceiver über POF (Polymere optische Faser) – präsentiert ein Konzept für die optische Verbindung von Telematik-Steuermodulen. “Verschiedene OEMs

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Galvanische Trennung macht neue 48-Volt-Bordnetzarchitektur sicher 0

KDPOF stellt optische Konnektivität für Batteriemanagement-Systeme und integrierte Smart-Antenna-Module bereit KDPOF – führender Anbieter für Gigabit-Transceiver über POF (Polymere optische Faser) – macht mit seiner optischen Verbindungstechnologie dank der inhärenten

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Rehm eröffnet neue Niederlassung in Taiwan 0

Ausbau des Bereichs Sales und Service in Asien Mit etwa 23 Millionen Einwohnern, die sich ungefähr die Fläche Baden-Württembergs teilen, gehört Taiwan zu den kleineren Ländern Asiens. In der Elektronikindustrie

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Integriertes Smart Power Stage (SPS) Modul von Fairchild Semiconductor bietet Effizienz und höhere Leistungsdichte

Modul vereinfacht Stromversorgung von Servern und Telekommunikationssystemen bei kleinerer Bauform München – 13. November 2013 – Fairchild Semiconductor hat mit der Smart Power Stage (SPS) Modulfamilie eine kompakte Leistungsstufe der

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Fujitsu produziert ab 2013 GaN-Leistungsbauelemente für hocheffiziente Stromversorgungseinheiten

GaN-Technologie ermöglicht hohe Ausgangsleistung von 2,5 kW bei Server-Netzteilen Langen, Deutschland, 26. November 2012 – Fujitsu Semiconductor hat durch die Implementierung seiner Galliumnitrid-Leistungsbauelemente (GaN) auf Siliziumsubstrat in Stromversorgungseinheiten für Server

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Fujitsu und MSC unterzeichnen europaweit gültigen Distributionsvertrag für Halbleiterlösungen

Ideale Ergänzung des MCU- und Speicher-Portfolios von MSC und Stärkung von Fujitsus Vertriebswegen Langen und Stutensee, Deutschland, 20. November 2012 – Fujitsu Semiconductor Europe (FSEU) und die MSC Vertriebs GmbH

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Siliciumcarbid (SiC) Lösungen von Fairchild Semiconductor bieten höchsten Wirkungsgrad und Zuverlässigkeit für Energieumwandlungssysteme

Erster SiC bipolarer Sperrschichttransistor (BJTs) im Produktportfolio ermöglicht geringste Leistungsverluste bei hohen Betriebstemperaturen Fürstenfeldbruck – 13. November 2012 – Um eine höhere Leistungsdichte zu erreichen und die strikten Wirkungsgradregelungen und

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